Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (2)Реферативна база даних (27)Авторитетний файл імен осіб (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Майданов В$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 6
Представлено документи з 1 до 6
1.

Жучков В. А. 
Ползучесть твердого 4Не при температурах ниже 1 К [Електронний ресурс] / В. А. Жучков, А. А. Лисунов, В. А. Майданов, А. С. Неонета, В. Ю. Рубанский, С. П. Рубец, Э. Я. Рудавский, С. Н. Смирнов // Физика низких температур. - 2015. - Т. 41, № 3. - С. 223-232. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2015_41_3_4
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.045 Mb    Зміст випуску     Цитування
2.

Лисунов А. А. 
Пластическое течение твердого 3Не через пористую упругую пленку [Електронний ресурс] / А. А. Лисунов, В. А. Майданов, В. Ю. Рубанский, С. П. Рубец, Э. Я. Рудавский, С. Н. Смирнов // Физика низких температур. - 2016. - Т. 42, № 12. - С. 1372-1396. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2016_42_12_5
В области температур 0,1 - 1 К проведено исследование пластического течения твердого <^>3He через металлизированную пористую упругую полимерную пленку, вмороженную в кристалл. Течение вызывалось механическими напряжениями в кристалле, которые создавались внешней электрической силой. Скорость пластического течения твердого гелия определялась по изменению емкости измерительного конденсатора, в котором металлизированная поверхность пленки служила подвижным электродом. На полученных температурных зависимостях скорости пластического течения V(Т) четко идентифицированы 2 участка. Выше ~ 0,2 К величина V уменьшается по экспоненциальному закону при понижении температуры, что соответствует термически активированному режиму пластического течения. При более низких температурах V не зависит от температуры, что свидетельствует о квантовом пластическом течении. В области термоактивации проанализированы экспериментальные данные и определены эмпирические значения активационного объема, энергии активации и величины порогового механического напряжения, начиная с которого возникает макроскопическое пластическое течение. Обнаружено, что величина активационного объема в 30 - 70 раз больше атомного объема, что свидетельствует о масштабе структурных перестроек в кристалле при элементарных актах пластического течения, значительно превышающем атомный размер. При этом значения энергии активации близки к величинам энергии активации вакансий. Полученные экспериментальные результаты проанализированы в рамках диффузионно-вакансионной и дислокационных моделей пластического течения. В рамках дислокационной модели проведена оценка температуры, ниже которой дислокации преодолевают барьер Пайерлса путем квантового туннелирования. В Приложении рассмотрены физические основы использованной методики, а так-же те результаты теории движения дислокаций в рельефе Пайерлса, которые использованы для анализа характеристик пластического течения твердого <^>3He.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.161 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Майданов В. А. 
Кинетические процессы в твердом гелии с участием примесей и вакансий [Електронний ресурс] / В. А. Майданов, Э. Я. Рудавский, С. С. Соколов // Физика низких температур. - 2017. - Т. 43, № 1. - С. 81-92. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2017_43_1_12
Приведен обзор кинетического поведения примесей и вакансий в твердом гелии, которые согласно предсказанию А. Ф. Андреева и И. М. Лифшица делокализуются и превращаются в своеобразные квазичастицы. Основное внимание уделено необычным диффузионным процессам в твердых растворах <^>3He - <^>4He при их фазовом расслоении. За счет появления в кристалле механических напряжений при расслоении существенно уменьшается диффузионный поток, и эффективный коэффициент диффузии становится меньше коэффициента когерентной квантовой диффузии. При обратном переходе из расслоившегося раствора в гомогенное состояние наблюдается аномально быстрый массоперенос, который может быть качественно объяснен в рамках модели трехэтапного растворения включений <^>3He. Проведено сравнение экспериментальных данных о кинетике фазового расслоения с диффузионным описанием процесса при учете различия диффузионных процессов снаружи и внутри зародыша новой фазы. Получено хорошее согласие теоретического расчета и экспериментальных результатов. С использованием модели гомогенного зародышеобразования оценена концентрация зародышей. Впервые сделаны оценки коэффициента массовой диффузии во всей области концентраций растворов. Поведение делокализованных вакансий исследовано в твердых растворах <^>4He в <^>3He вблизи температуры расслоения. Обнаруженныеособенности давления в такой системе при многократном циклировании температуры объяснены образованием вакансионных кластеров чистого <^>4He. Хотя сам кристалл не имеет строгой периодичности из-за случайного распределения атомов <^>3He и <^>4He в узлах решетки, в пределах кластера реализуется периодическая структура, и вакансия становится делокализованной.
Попередній перегляд:   Завантажити - 968.077 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Гриценко И. А. 
Влияние кинетики фазового расслоения на кинетику гомогенизации твердых растворов 4Не в 3Не [Електронний ресурс] / И. А. Гриценко, В. А. Майданов, С. П. Рубец, Э. Я. Рудавский, А. С. Рыбалко // Физика низких температур. - 2018. - Т. 44, № 4. - С. 398-401. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2018_44_4_8
В области температур 0,1 - 0,5 К обнаружены новые особенности кинетики фазового расслоения и последующей гомогенизации твердого раствора <$Enothing sup 4 roman He> в <$Enothing sup 3 roman He>. Расслоение инициировалось как быстрым охлаждением однородного раствора, так и его охлаждением малыми ступеньками по температуре. Информация о кинетике фазовых переходов была получена с помощью прецизионного измерения давления твердого гелия при постоянном объеме. Установлено, что кинетика гомогенизации существенно зависит от кинетики предшествующего расслоения. При быстром охлаждении в область расслоения постоянные времени гомогенизации более чем в 5 раз меньше, чем в случае медленного охлаждения. Полученные результаты согласуются с моделью гомогенного зародышеобразования.
Попередній перегляд:   Завантажити - 5.895 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Лисунов А. А. 
Особенности температурной зависимости давления твердого гелия при низких температурах [Електронний ресурс] / А. А. Лисунов, В. А. Майданов, В. Ю. Рубанский, С. П. Рубец, Э. Я. Рудавский, А. С. Рыбалко, Е. С. Сыркин // Физика низких температур. - 2012. - Т. 38, № 6. - С. 589-597. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2012_38_6_4
Проведена серия экспериментов по исследованию условий образования неупорядоченного (стеклоподобного) состояния в кристаллах <^>3He. С помощью прецизионных измерений давления при постоянном объеме установлено, что в быстро охлажденных кристаллах, выросших в однородных температурных условиях при наличии большого числа зародышей, легко образуется стекольная фаза, устраняемая лишь после тщательного отжига. Этот результат обнаружен как в <^>3He, так и в <^>4He, он не зависит от типа квантовой статистики, а определяется, в основном, условиями роста кристалла. Проведен анализ аналогичных измерений при использовании другой ячейки, где в процессе роста кристалла создавался направленный градиент температуры. В этом случае для образования стекольной фазы требовалось дополнительное количество дефектов, которые создавались в результате деформации кристалла. Достижимая в эксперименте степень деформации кристалла была достаточна для образования стекольной фазы в твердом <^>4He и недостаточна для кристалла <^>3He, где атомы имеют большую амплитуду нулевых колебаний. На основании анализа температурной зависимости давления проведено также исследование особенностей фононного вклада в давление. Обнаружено, что в кристаллах как <^>3He, так и <^>4He при разных толщинах образцов фононное давление отличается в несколько раз. Приведено качественное объяснение этого эффекта, который обусловлен тем, что в тонких образцах усиливается взаимодействие между слоями атомов. Такое усиление приводит к уменьшению фононного вклада в термодинамические свойства кристалла гелия при низких температурах.
Попередній перегляд:   Завантажити - 471.033 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Майданов В. А. 
Пластическое течение твердых 4Не и 3Нe при низких температурах [Електронний ресурс] / В. А. Майданов, Э. Я. Рудавский, С. Н. Смирнов, С. С. Соколов // Фізика низьких температур. - 2019. - Т. 45, № 9. - С. 1130-1143. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2019_45_9_4
Попередній перегляд:   Завантажити - 3.002 Mb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського